引:东芝已经为10nm制程闪存开发出了一种新的双隧道层技术，有望在未来实现超过100Gb的存储密度，比目前的技术领先4代。

　　东芝公司本月12日在美国华盛顿举行的国际电子元件大会(International Electron Devices Meeting，IEDM)上宣布，他们已经为10nm制程闪存开发出了一种新的双隧道层技术，有望在未来实现超过100Gb的存储密度，比目前的技术领先4代。

　　东芝在闪存电路中创造了一个隧道层，用来在SONOS(Silicon Oxide Nitride Oxide Semiconductor)类型设备结构中控制电子的进出。

　　新结构采用三明治结构，上下两层1nm厚的氧化薄膜，中间为1.2nm厚的硅纳米晶体，可以长时间的保存数据，并同时进行高速的数据写入和删除。

　　由于新的隧道层比目前SONOS技术中的薄很多，可以轻松的向更高集成度的制程技术转移。另外，东芝还将氮化物层材料从Si3N4转换为Si9N10，增大了存储电子的数量。

　　除了这种双隧道层技术，东芝还在研发各种前沿的存储技术，如3D结构等等，都在为未来的新制程闪存制造技术做准备。